单晶硅片尺寸是多少 单晶硅片的厚度是多少

一单晶硅片尺寸是多少

单晶硅圆片按其直径分为6英寸8英寸12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等直径越大的圆片所能刻制的集成电路越多芯片的成本也就越低但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高

大尺寸的优势

1硅片-电池片-组件端降低单瓦非硅成本

2组件-电站端降低BOS成本硅片尺寸增大增加了从硅片电池组件到电站等各环节的产能输出相当于摊销了部分人工折旧水电气施工等成本投入

二单晶硅片的厚度是多少

随着产业链合作推进薄片化进程加速硅片厚度对电池片的自动化良率转换效率等均有影响需要与下游电池片组件制造端需求匹配因此薄片化更为依赖产业链各环节的合作推进

2020年多晶硅片平均厚度为180μmP型单晶硅片平均厚度在175μm左右N型硅片平均厚度为168μmTOPCon电池的N型硅片平均厚度为175μm异质结电池的硅片厚度约150μm

1P型单晶硅片薄片化经历了350μm250μm220μm200μm180μm等多个节点预计2021年达到170μm150-160μm的薄片技术目前已经趋于成熟2025年有望达到160μm

2N型单晶硅片N型硅片相比P型更容易实现减薄预计2021年达到160-165μm目前已经具备120-140μm的薄片技术远期有望达到100-120μm

3异质结电池N型单晶硅片HJT是最有利于薄片化的电池结构和工艺在薄片化方面具备天然优势原因是

（1）对称结构低温或无应力制程可以适应更薄的硅片

（2）转换效率不受厚度影响即使减薄到100μm左右依赖超低表面复合短路电流Isc的损失可以通过开路电压Voc得到补偿

根据相关预测202420272030年异质结N型硅片厚度将分别达到140130120μm薄片化的理论极限可以达到100μm以下